Single Crystal Silicon Ingot

Beskriuwing

Single Crystal Silicon Ingotis meastal groeid as in grutte silindryske ingot troch sekuere doping- en pulling technologyen Czochralski CZ, Magnetysk fjild induced Czochralski MCZ en Floating Zone FZ metoaden.CZ-metoade is de meast brûkte foar groei fan silisiumkristal fan grutte silindryske ingots yn diameters oant 300 mm brûkt yn 'e elektroanika-yndustry om semiconductor-apparaten te meitsjen.MCZ-metoade is in fariaasje fan 'e CZ-metoade wêryn in magnetysk fjild ûntstien is troch in elektromagnet, dy't relatyf lege soerstofkonsintraasje kin berikke, legere ûnreinenskonsintraasje, legere dislokaasje en unifoarme resistiviteitsfariaasje.FZ metoade fasilitearret it berikken fan hege resistivity boppe 1000 Ω-cm en hege suverens crystal mei lege soerstof ynhâld.

Befalling

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ of FZ NTD mei n-type of p-type conductivity by Western Minmetals (SC) Corporation kin wurde levere yn grutte fan 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm en 200mm diameter (2, 3) , 4, 6 en 8 inch), oriïntaasje <100>, <110>, <111> mei oerflak grûn yn pakket fan plestik tas binnen mei kartonnen doaze bûten, of as oanpaste spesifikaasje om de perfekte oplossing te berikken.

Freegje no

Details

Tags

Technyske spesifikaasje

Single Crystal Silicon Ingot

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ of FZ NTDmei n-type as p-type conductivity by Western Minmetals (SC) Corporation kin wurde levere yn grutte fan 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm en 200mm diameter (2, 3, 4, 6 en 8 inch), oriïntaasje <100 >, <110>, <111> mei oerflak grûn yn pakket fan plestik tas binnen mei kartonnen doaze bûten, of as oanpaste spesifikaasje te berikken de perfekte oplossing.

Nee.	Items	Standert Spesifikaasje
1	Grutte	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9.5", 10", 12"
2	Diameter mm	50.8-241.3, of as nedich
3	Groei metoade	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	Conductivity Type	P-type / Boron doped, N-type / Phosphide doped of Un-doped
5	Lengte mm	≥180 of as nedich
6	Oriïntaasje	<100>, <110>, <111>
7	Resistivity Ω-cm	As fereaske
8	Koalstof ynhâld a/cm³	≤5E16 of as nedich
9	Oxygen ynhâld a/cm³	≤1E18 of as nedich
10	Metal Contamination a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) of <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Packing	Plastic tas binnen, tripleks koffer of kartonnen doaze bûten.

Symboal	Si
Atoomnummer	14
Atoomgewicht	28.09
Element Category	Metalloid
Groep, Periode, Blok	14, 3, p
Crystal struktuer	Diamant
Kleur	Donker griis
Smeltpunt	1414°C, 1687,15 K
Kookpunt	3265°C, 3538,15 K
Tichtheid op 300K	2.329 g/cm³
Yntrinsike resistiviteit	3.2E5 Ω-cm
CAS nûmer	7440-21-3
EC nûmer	231-130-8

Single Crystal Silicon Ingot, doe't folslein groeid en kwalifisearre syn resistivity, ûnreinens ynhâld, kristal perfeksje, grutte en gewicht, wurdt grûn mei help fan diamant tsjillen te meitsje it in perfekte silinder nei de rjochter diameter, dan ûndergiet in ets proses te ferwiderjen de meganyske defekten oerbleaun troch it slypproses .Nei ôfrin wurdt de silindryske ingot yn blokken mei in bepaalde lingte snijd, en wurdt notch en primêr as sekundêr plat jûn troch automatisearre waferbehannelingssystemen foar ôfstimming om de kristallografyske oriïntaasje en konduktiviteit te identifisearjen foardat it streamôfwerts fan wafersnijproses.