Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaksiale (EPI) Silicon Wafer

Beskriuwing

Epitaksiale silisium waferof EPI Silicon Wafer, is in wafel fan semiconducting crystal laach dellein op de gepolijst crystal oerflak fan in silisium substraat troch epitaxial groei.De epitaksiale laach kin itselde materiaal wêze as it substraat troch homogene epitaksiale groei, of in eksoatyske laach mei spesifike winsklike kwaliteit troch heterogene epitaksiale groei, dy't epitaksiale groeitechnology oannimt omfetsje gemyske dampdeposysje CVD, floeibere faze epitaksy LPE, lykas molekulêre beam epitaxy MBE te berikken de heechste kwaliteit fan lege defect tichtens en goede oerflak rûchheid.Silicon Epitaxial Wafers wurde primêr brûkt yn 'e produksje fan avansearre semiconductor apparaten, heech yntegreare semiconductor eleminten IC's, diskrete en macht apparaten, ek brûkt foar elemint fan diode en transistor as substraat foar IC lykas bipolar type, MOS en BiCMOS apparaten.Fierder wurde epitaksiale en dikke film EPI-silisiumwafers mei meardere lagen faak brûkt yn mikro-elektroanika, fotonika en fotovoltaïka-applikaasje.

Befalling

Epitaxial Silicon Wafers of EPI Silicon Wafer by Western Minmetals (SC) Corporation kinne wurde oanbean yn grutte fan 4, 5 en 6 inch (100mm, 125mm, 150mm diameter), mei oriïntaasje <100>, <111>, epilayer resistivity fan <1ohm -cm of oant 150ohm-cm, en epilayer dikte fan <1um of oant 150um, te foldwaan oan de ferskate easken yn oerflak finish fan etste of LTO behanneling, ynpakt yn cassette mei kartonnen doaze bûten, of as oanpaste spesifikaasje foar de perfekte oplossing .

Freegje no

Details

Tags

Technyske spesifikaasje

Epi Silicon Wafer

Epitaksiale silisium wafersof EPI Silicon Wafer by Western Minmetals (SC) Corporation kin wurde oanbean yn grutte fan 4, 5 en 6 inch (100mm, 125mm, 150mm diameter), mei oriïntaasje <100>, <111>, epilayer-resistivity fan <1ohm-cm of oant 150ohm-cm, en epilayer dikte fan <1um of oant 150um, te foldwaan oan de ferskate easken yn oerflak finish fan etste of LTO behanneling, ynpakt yn cassette mei kartonnen doaze bûten, of as oanpaste spesifikaasje oan de perfekte oplossing.

Symboal	Si
Atoomnummer	14
Atoomgewicht	28.09
Element Category	Metalloid
Groep, Periode, Blok	14, 3, p
Crystal struktuer	Diamant
Kleur	Donker griis
Smeltpunt	1414°C, 1687,15 K
Kookpunt	3265°C, 3538,15 K
Tichtheid op 300K	2.329 g/cm³
Yntrinsike resistiviteit	3.2E5 Ω-cm
CAS nûmer	7440-21-3
EC nûmer	231-130-8

Nee.	Items	Standert Spesifikaasje
1	Algemiene skaaimerken
1-1	Grutte	4"	5"	6"
1-2	Diameter mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Oriïntaasje	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Epitaksiale laach skaaimerken
2-1	Groei metoade	CVD	CVD	CVD
2-2	Conductivity Type	P of P+, N/ of N+	P of P+, N/ of N+	P of P+, N/ of N+
2-3	Dikte μm	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Dikte Uniformity	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Resistivity Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Resistivity Uniformity	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislokaasje cm-2	<10	<10	<10
2-8	Oerflak kwaliteit	Gjin chip, waas of sinaasappelskil bliuwt, ensfh.
3	Behannelje substraat skaaimerken
3-1	Groei metoade	CZ	CZ	CZ
3-2	Conductivity Type	P/N	P/N	P/N
3-3	Dikte μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Dikte Uniformiteit max	3%	3%	3%
3-5	Resistivity Ω-cm	As fereaske	As fereaske	As fereaske
3-6	Resistivity Uniformity	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	Bôge μm max	30	30	30
3-9	Warp μm max	30	30	30
3-10	EPD cm-2 max	100	100	100
3-11	Edge Profile	Rûn	Rûn	Rûn
3-12	Oerflak kwaliteit	Gjin chip, waas of sinaasappelskil bliuwt, ensfh.
3-13	Back Side Finish	Etst of LTO (5000±500Å)
4	Packing	Kassette binnen, kartonnen doaze bûten.

Silicon epitaksiale waferswurde primêr brûkt yn 'e produksje fan avansearre semiconductor apparaten, heech yntegreare semiconductor eleminten ICs, diskrete en macht apparaten, ek brûkt foar elemint fan diode en transistor as substraat foar IC lykas bipolar type, MOS en BiCMOS apparaten.Fierder wurde epitaksiale en dikke film EPI-silisiumwafers mei meardere lagen faak brûkt yn mikro-elektroanika, fotonika en fotovoltaïka-applikaasje.