FZ NTD Silicon Wafer

Beskriuwing

FZ-NTD Silicon Wafer, bekend as Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Oxygen-frij, hege suverens en heechste resistivity silisium kin wurde krigen by Float-zone FZ (Zone-Floating) kristalgroei, High resistivity FZ silisium kristal wurdt faak doped troch Neutron Transmutation Doping (NTD) proses, wêrby't neutron irradiation op undoped float sône silisium te meitsjen silisium isotopen fongen mei neutroanen en dan ferfal yn de winske dopants te berikken de doping doel.Troch it oanpassen fan it nivo fan neutronestrieling kin de resistiviteit feroare wurde sûnder eksterne dopanten yn te fieren en dus materiaal suverens te garandearjen.FZ NTD silisiumwafels (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) hawwe premium technyske eigenskippen fan unifoarme dopingkonsintraasje en unifoarme radiale wjerstânsferdieling, leechste ûnreinheidsnivo's,en hege minderheid carrier libben.

Befalling

As in liedende leveransier fan NTD silisium foar tasizzende krêftapplikaasjes, en nei oanlieding fan de groeiende easken foar wafers fan topkwaliteit, superieure FZ NTD silisium waferat Western Minmetals (SC) Corporation kin oan ús klanten wrâldwiid oanbean wurde yn ferskate grutte fariearjend fan 2″, 3″, 4″, 5″ en 6″ diameter (50mm, 75mm, 100mm, 125mm en 150mm) en breed oanbod fan resistiviteit 5 oant 2000 ohm.cm yn <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> oriïntaasjes mei as-cut, lapped, etste en gepolijst oerflak finish yn pakket fan foam doaze of cassette , of as oanpaste spesifikaasje foar de perfekte oplossing.

Freegje no

Details

Tags

Technyske spesifikaasje

FZ NTD Silicon Wafer

As in liedende leveransier fan FZ NTD silisium foar tasizzende krêftapplikaasjes, en nei oanlieding fan de groeiende easken foar wafers fan topkwaliteit, kin superieure FZ NTD silisium wafer by Western Minmetals (SC) Corporation oanbean wurde oan ús klanten wrâldwiid yn ferskate grutte fariearjend fan 2 ″ oant 6″ yn diameter (50, 75, 100, 125 en 150 mm) en breed berik fan wjerstannen 5 oant 2000 ohm-cm yn <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> oriïntaasjes mei lapped, etste en gepolijst oerflak finish yn pakket fan foam doaze of cassette, kartonnen doaze bûten of as oanpaste spesifikaasje foar de perfekte oplossing.

Nee.	Items	Standert Spesifikaasje
1	Grutte	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diameter	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	Conductivity	n-type	n-type	n-type	n-type	n-type
4	Oriïntaasje	<100>, <111>, <110>
5	Dikte μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 of as nedich
6	Resistivity Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 of as nedich
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bow/Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Carrier Lifetime μs	> 200, > 300, > 400 of as nedich
11	Oerflakte ôfwurking	As-cut, Lapped, Polished
12	Packing	Foam doaze binnen, kartonnen doaze bûten.

Basis Materiaal Parameter

Symboal	Si
Atoomnummer	14
Atoomgewicht	28.09
Element Category	Metalloid
Groep, Periode, Blok	14, 3, p
Crystal struktuer	Diamant
Kleur	Donker griis
Smeltpunt	1414°C, 1687,15 K
Kookpunt	3265°C, 3538,15 K
Tichtheid op 300K	2.329 g/cm³
Yntrinsike resistiviteit	3.2E5 Ω-cm
CAS nûmer	7440-21-3
EC nûmer	231-130-8

FZ-NTD Silicon Waferis in essinsjeel belang foar tapassingen yn hege krêft, detektortechnologyen en yn halfgeleiderapparaten dy't moatte wurkje yn ekstreme omstannichheden of wêr't fariaasje fan lege resistiviteit oer de wafer fereaske is, lykas gate-turn-off thyristor GTO, statyske induksjethyristor SITH, reus transistor GTR, isolearje-poarte bipolêre transistor IGBT, ekstra HV diode PIN.FZ NTD n-type silisiumwafer is ek as haadfunksjoneel materiaal foar ferskate frekwinsjekonverters, gelykrjochters, kontrôle-eleminten mei grutte macht, nije elektryske apparaten foar macht, fotoelektroanyske apparaten, silisium-lykrjochter SR, silisiumkontrôle SCR, en optyske komponinten lykas linzen en finsters foar terahertz applikaasjes.