Silisiumkarbid SiC

Beskriuwing

Silicon Carbide Wafer SiC, is tige hurd, syntetysk produsearre kristallijne ferbining fan silisium en koalstof troch MOCVD-metoade, en eksposearretsyn unike brede band gap en oare geunstige skaaimerken fan lege koëffisjint fan termyske útwreiding, hegere bestjoeringssysteem temperatuer, goede waarmte dissipation, legere switching en conduction ferliezen, mear enerzjysunich, hege termyske conductivity en sterker elektryske fjild ôfbraak sterkte, likegoed as mear konsintrearre streamingen betingst.Silicon Carbide SiC by Western Minmetals (SC) Corporation kin wurde levere yn 'e grutte fan 2 "3' 4" en 6 "(50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diameter, mei n-type, semi-isolearjende of dummy wafer foar yndustriële en laboratoarium applikaasje.Elke oanpaste spesifikaasje is foar de perfekte oplossing foar ús klanten wrâldwiid.

Oanfraach

Hege kwaliteit 4H/6H Silicon Carbide SiC wafer is perfekt foar de fabrikaazje fan in protte moderne superieure snelle, hege temperatuer en hege spanning elektroanyske apparaten lykas Schottky diodes & SBD, high-power switching MOSFETs & JFETs, ensfh. ek in winsklik materiaal yn it ûndersyk en ûntwikkeling fan bipolêre transistors en thyristors mei isolearre poarte.As in treflik nije generaasje semiconducting materiaal tsjinnet Silicon Carbide SiC wafer ek as in effisjinte waarmte spreader yn hege-power LED's komponinten, of as in stabile en populêr substraat foar groeiende GaN laach yn it foardiel fan takomstige rjochte wittenskiplike ferkenning.

Freegje no

Details

Tags

Technyske spesifikaasje

Silisiumkarbid SiC

Silisiumkarbid SiCat Western Minmetals (SC) Corporation kin wurde levere yn 'e grutte fan 2 "3' 4" en 6 "(50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diameter, mei n-type, semi-isolearjende of dummy wafer foar yndustriële en laboratoarium tapassing .Elke oanpaste spesifikaasje is foar de perfekte oplossing foar ús klanten wrâldwiid.

Lineêre formule	SiC
Molekuul gewicht	40.1
Crystal struktuer	Wurtzite
Ferskining	Fêst
Smeltpunt	3103±40K
Kookpunt	N/A
Tichtheid op 300K	3,21 g/cm³
Enerzjy Gap	(3.00-3.23) eV
Yntrinsike resistiviteit	>1E5 Ω-cm
CAS nûmer	409-21-2
EC nûmer	206-991-8

Nee.	Items	Standert Spesifikaasje
1	SiC grutte	2"	3"	4"	6"
2	Diameter mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Groei metoade	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Conductivity Type	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Resistivity Ω-cm	0.015-0.028;0,02-0,1;>1E5
6	Oriïntaasje	0°±0,5°;4.0° rjochting <1120>
7	Dikte μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Primêr Flat Lokaasje	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Primêr Flat Length mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Secondary Flat Lokaasje	Silisium gesicht omheech: 90 °, mei de klok yn fan prime flat ± 5,0 °
11	Secondary Flat Length mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Bôge μm max	40	40	40	40
14	Warp μm max	60	60	60	60
15	Edge Exclusion mm max	1	2	3	3
16	Mikropipe tichtens cm-2	<5, yndustrieel;<15, lab;<50, dwaas
17	Dislokaasje cm-2	<3000, yndustrieel;<20000, lab;<500000, dummy
18	Oerflak Roughness nm max	1 (gepolijst), 0.5 (CMP)
19	Kraken	Gjin, foar yndustriële klasse
20	Hexagonal Platen	Gjin, foar yndustriële klasse
21	Krassen	≤3mm, totale lingte minder as substraat diameter
22	Edge Chips	Gjin, foar yndustriële klasse
23	Packing	Single wafer container fersegele yn aluminium gearstalde tas.

Silisiumkarbid SiC 4H/6Hwafer fan hege kwaliteit is perfekt foar de fabrikaazje fan in protte moderne superieure snelle, hege temperatuer en heechspanningselektroanyske apparaten lykas Schottky diodes & SBD, high-power switching MOSFETs & JFETs, ensfh It is ek in winsklik materiaal yn de ûndersyk en ûntwikkeling fan bipolêre transistors en thyristors mei isolearre poarte.As in treflik nije generaasje semiconducting materiaal tsjinnet Silicon Carbide SiC wafer ek as in effisjinte waarmte spreader yn hege-power LED's komponinten, of as in stabile en populêr substraat foar groeiende GaN laach yn it foardiel fan takomstige rjochte wittenskiplike ferkenning.